更新时间：2024-06-05 17:15
甘子钊，1938年4月出生于广东信宜，物理学家，中国科学院学部委员，北京大学物理学院教授、北京现代物理中心副主任，国家超导实验室学术委员会主任，人工微结构和介观物理国家重点实验室学术委员会主任。
1938年4月16日，甘子钊出生于广东省信宜县水口镇双山村。
1954年，到湛江参加高考，并考上北京大学物理系。在北大学习期间，是全校出名的优秀生。
1959年10月，从北京大学物理系本科毕业，并考取该校研究生，师从物理学家黄昆。
1963年1月，从北京大学物理系研究生毕业后留校任教，历任副教授、教授、固体物理研究所所长。
1991年，当选为中国科学院学部委员（院士）。
1999年7月，北京大学理学部成立，甘子钊担任首任学部主任。
20世纪60年代初，甘子钊对半导体中隧道效应做了较好的工作，解决了锗中隧道过程的物理机理。70年代初在发展中国大能量气动激光上作出贡献。70年代后期提出一个基本正确的多原子分子多光子离解的物理模型。80年代初发展了光在半导体中相干传播的理论。80年代中期，在凝聚态物理的一些前沿，如分数量子霍尔效应、金属—绝缘体相变、磁性半导体量子阱中极化子、杂质共振态等方面作出一些贡献。1986年以来，在中国高温超导电性的研究和发展上起重要作用。
1960年至1965年间，甘子钊主要从事半导体物理的研究工作。曾在半导体中的电子隧道过程、杂质电子状态、磁共振现象等方面进行过理论研究，解决了锗中隧道过程的物理机理。1970年至1978年间，主要从事激光物理的研究工作，曾在二氧化碳气体激光器和燃烧型气体动力学激光器的研制，气体激光器的频率特性等方面进行过实验和理论研究，对发展中国的大能量气体激光做出一定贡献。1978年至1982年间，主要从事光与物质的相互作用的研究，曾提出多原子分子光致离解的物理模型和光在半导体中相干传播的理论。1982年至1986年主要从事固体电子状态的研究，曾在半导体中杂质的自电离状态、量子Hall效应、绝缘体—金属相变、磁性半导体中磁极化子、低维系统中电子输运等方面进行理论研究。从1986年开始，转入高温超导电性的实验和理论研究，主持北京大学的高温超导和全国超导攻关项目的研究工作，对中国高温超导研究的发展做出重要贡献，并负责组建国家重点实验室“人工微结构物理实验室”的工作。
截至2014年11月，甘子钊在国际与中国国内学术刊物上发表论文50余篇。
1979年以来，甘子钊曾在美国普林斯顿大学工作一年，在意大利国际理论物理中心短期工作两次共4个月，并多次出国访问和参加学术会议。
甘子钊认为：领导终究是少数人，多数院士还是要更多的做科学研究工作，另外多数人还要争取吸引人才，请一匹好马，然后让自己尽早的变成伯乐。
甘子钊认为：“基础科学研究得允许失败。半导体物理每年的发展很多，肯定有大部分没有成功。不能用商品经济的观点来看‘每个值多少钱’。”
2002年，甘子钊在政协第九届全国委员会第五次会议上发言，题目是关于《加强基础科学研究的四点意见》，他认为：中国基础研究的发展现状和对国家的贡献都是很不够的，甚至是远远落后的。不能把落后情况只归结为客观条件，只归结到领导和社会环境身上。需要特别注意的是：一、深入认识基础研究的意义和作用，争取适当增大投入。二、深入贯彻“有所为，有所不为”的原则，适当集中力量，力争在有长远战略意义的重大方向上有所突破。三、当前影响中国基础研究发展的一个大问题是普遍存在的争于求成心态和浮躁风气。四、科研管理上过于行政化，以及由此造成的过多的非业务干扰也是当前存在的一个要注意的问题。
甘子钊到了北京大学之后，当时学校包括吃饭在内，什么都负责，不用花钱。他的工作都是服从安排的，没有自己选的，毕业后一直在北京大学生活和工作。
20世纪70年代初期，国家意识到激光技术对国防意义重大。在系里的安排下，甘子钊开始从事激光物理的研究工作，在发展中国大能量气动激光上作出了贡献。20世纪80年代中期，在凝聚态物理的一些前沿，如分数量子霍尔效应、金属—绝缘体相变、磁性半导体量子阱中极化子、杂质共振态等方面作出了贡献。（《南方日报》评）